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유호천·김창현 교수 연구팀, 세계 최초 수직 집적 3진회로 구현, 네이처 커뮤케이션 논문 게재

수정일
2022.05.20
작성자
홍보실
조회수
553
등록일
2022.05.20

하부 플래시메모리, 상부 이종접합 트랜지스터 수직적층 성공


좌 유호천, 우 김창현 교수 사진
 사진 좌: 유호천 교수, 우: 김창현 교수

 전자공학부 유호천, 김창현 교수 연구팀이 카이스트 임성갑 교수 연구팀과 공동 연구로 하부 N형 플로팅-게이트 기반 비휘발성 플래시 메모리 위에 상부 P형/N형 이종접합 트랜지스터를 3차원 집적공정을 적용한 수직형 3진회로 구현에 성공했다. 


 이번 연구결과는 영국 Nature에서 발간하는 세계 정상급 국제학술지인 Nature Communications (IF: 14.92)에 지난달 28일 온라인 게재됐다. (논문명: Vertically stacked, low-voltage organic ternary logic circuits including nonvolatile floating-gate memory transistors)


 ‘0’과 ‘1’을 사용하는 기존 2진법과 달리 3진 반도체는 ‘0’, ‘1’, ‘2’를 3개의 논리상태로 표현해 정보처리효율이 뛰어나며 전력소모량이 적은 차세대 반도체 기술이며, 반도체칩의 소형화, 저전력화, 고속화가 가능하다. 연구팀은 3진회로에 플래시 메모리를 결합하여, 플래시 메모리에 프로그래밍 상태에 따라 3진 인버터의 출력 전압이 조절할 수 있게 만들어 보다 정확한 논리 회로 구동을 성취하였다. 또한, 3진 회로 집적시, 플래시 메모리와 이종접합 트랜지스터를 아래/위로 수직 적층하여 소자 집적 밀도를 크게 향상시켰다. 


 유호천, 김창현 교수는 “가천대, 카이스트 연구팀이 긴밀하게 협업하여 얻은 결과이며, 정상급 저널에 그 결과를 게재하게 되어 매우 기쁘다.” “향후 지속적인 공동연구를 통해 차세대 트랜지스터 개발을 선도해 나가겠다”고 밝혔다.